三星电子1nm工艺研发进展 - 公司已启动1nm晶圆代工工艺研发 计划通过该技术实现市场反转 [1] - 从2nm工艺团队抽调研究员组建专项组 当前公开路线图中最尖端工艺为2027年量产的1.4nm [1] - 1nm工艺需突破现有设计框架 将引入High-NA EUV光刻机等下一代设备 目标量产时间为2029年后 [1] 晶圆代工行业竞争格局 - 三星在3nm量产和2nm良率(低于60%)方面落后台积电(2nm良率超60%) [1] - 台积电计划2026年下半年量产1.6nm(16A)工艺 以应对AI半导体市场需求 [2] 技术发展动态 - 1.4nm至1nm工艺成为行业下一代技术竞争焦点 主要厂商均提前布局 [1][2] - 高数值孔径极紫外光刻设备将成为1nm级工艺量产的关键技术节点 [1]