HBM市场增长趋势 - 高带宽存储器(HBM)市场正经历指数级增长，主要受人工智能工作负载和高性能计算应用激增推动[1] - 2023年HBM比特出货量同比增长187%，2024年飙升193%[1] - 全球HBM收入预计从2024年170亿美元增长至2030年980亿美元，复合年增长率达33%[1] - HBM在DRAM市场收益份额将从2024年18%扩大至2030年50%[1] - 2025年HBM生产能力已满负荷运行，凸显供应限制和产能扩张必要性[1] HBM行业竞争格局 - SK海力士目前市场领先，2024年末量产12Hi HBM3E，2025年初启动12Hi HBM4客户样品供应[5] - 三星加速市场地位巩固，开发HBM产品组合并研发4纳米逻辑芯片，计划2025年供应HBM4样品[8] - 美光2024年直接凭借HBM3E进入市场，为英伟达H200 GPU供货，目标2025年底达6万片/分钟产能[8] - 中国企业启动大规模投资打造国产替代产品，虽存在技术差距但受益于政府支持和行业网络[8] DRAM技术发展路径 - 平面DRAM预计将在2033-2034年0c/0d节点继续演进，利用架构和工艺创新结合[10] - 6F² DRAM单元结构将在2025年占据商用产品主导地位[10] - 未来需向基于垂直晶体管的4F²单元过渡，并集成CMOS键合阵列架构[13] - 0c/0d节点后向3D DRAM架构过渡将不可避免，主要DRAM制造商正探索多种架构路径[13] - 混合键合被视为未来HBM关键推动因素，预计2029年与HBM5一起进入市场[13]