三星电子VCT DRAM技术路线图 - 三星电子已制定三年内量产垂直通道晶体管(VCT)DRAM的路线图 该技术通过垂直排列晶体管实现高容量 被视为"游戏规则改变者" 但工艺难度远超现有DRAM [2] - 公司目前正在量产10纳米级第五代DRAM 计划今年量产第六代 明年开发第七代 最终选择跳过第八代直接采用VCT DRAM方案 [2] - 竞争对手SK海力士的路线图为第七代→1nm级第一代(0a)→垂直DRAM(VG) 若三星计划实现 将领先开启"VDRAM"时代 [2] - 行业预计VCT DRAM将在2-3年内应用于实际产品 三星此举意在通过技术超越重获行业领导地位 [2] 半导体行业动态 - 黄仁勋评价HBM(高带宽存储器)为"技术奇迹" 显示该技术在行业中的重要地位 [3] - Jim Keller预测RISC-V架构将在未来竞争中胜出 反映行业对新兴架构的关注 [3] - 全球芯片公司市值排名显示行业竞争格局正在发生变化 [3]