光刻技术突破 - 初创公司Lace Lithography AS正在开发一种新型光刻技术，使用原子发射来定义特征，分辨率超越极紫外光刻技术(EUV)的极限 [2] - 该技术称为BEUV，理论上可实现更精细的特征，支持晶体管持续小型化并延伸摩尔定律 [2] - 原子光刻技术能够实现直接无掩模图案化，分辨率小于受波长限制的EUV系统 [2] 技术优势 - 公司声称该技术为芯片制造商提供领先当前技术15年的功能，且成本更低、能耗更低 [2] - 相关论文《利用中性氦原子进行真实尺寸表面映射》发表在《物理评论A》，详细介绍了立体氦显微镜的实现 [2] - FabouLACE项目采用亚稳态原子和基于色散力的掩模，可实现2纳米工艺 [2] 公司背景与融资 - 公司由卑尔根大学Bodil Holst教授和Adria Salvador Palau博士于2023年7月共同创立 [2] - 2023年7月完成种子轮融资约45万欧元，投资方包括Runa Capital、Vsquared Ventures等机构 [2] - 公司目前在挪威卑尔根和西班牙巴塞罗那运营 [2] 研发项目进展 - FabouLACE项目由欧盟资助250万欧元，2023年12月启动至2026年11月结束 [2] - NanoLACE研究项目于2019年启动，获资336万欧元(总预算365万欧元)，2024年12月结束 [2] - 欧盟委员会授权Lace光刻技术在2031年前推向市场，性能由IMEC研究机构监测验证 [2]