插播：英诺赛科、能华半导体、致能半导体、京东方华灿光电、镓奥科技等已确认参编《2024- 2025氮化镓（GaN）产业调研白皮书》，参编咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。 当前，碳化硅衬底价格下降压力较大，亟需降本。传统切割工艺普遍依赖传统多线切割技术，但该工艺效 率低、材料损耗，很难满足6-8英寸大尺寸碳化硅晶锭加工需求，尤其是在12英寸光波导碳化硅镜片制备 的难度较大。 针对激光剥离技术量产化难题，大族半导体以三大突破性技术破局： 低电阻 晶锭全兼容：突破 低电阻率晶 锭 激光加工 瓶颈，实现导电型衬底电阻率需求全覆盖； ● 砂轮损耗降40%+：采用LaserMesh™界面技术精准控制剥离面形貌（粗糙度≤2μm，TTV<10μm）， 结合界面软化工艺，大幅 降低后续减薄成本 ； ● 12英寸 量产突破：全球率先实现12英寸导电/半绝缘晶锭激光剥离量产，推动大尺寸衬底迈向"低成本、高良 率"时代，为光电子、射频器件降本奠基。 要想详细了解更多关于大族半导体的碳化硅衬底激光剥离技术等，欢迎参加 "行家说三代半"于5月15日在 上海 ● 锦江汤臣洲际大酒店 召开 "电动交通&数字能源SiC技术应 ...