5月15日，"电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会"活动将在上海举办， 三菱电机、wolfspeed、三安半导体、天科合达、元山电子、大族半导体、香港大学、长 飞先进、宏微科技、利普思、国基南方、芯长征、合盛新材料等将出席本次会议，点击文章底部 "阅读原文" 即可报名参会。 4月21日，清纯半导体官微宣布，他们推出了 第3代碳化硅（SiC）MOSFET技术平台，首款主驱芯片（型 号：S3M008120BK）的常温导通电阻低至8mΩ。 据"行家说三代半"调研发现，清纯半导体发布的第三代技术平台及其首款芯片已达到国际先进水平，并具 有以下亮点： 插播： 图 2 S3M008120BK芯片输出特性 图 1 清纯半导体1、2、3代产品比电阻Rsp变化 二是 额定电压为 1.2kV，额定电流超过220A，室温阈值电压典型值为2.7~2.8V。在等效的芯片面积下，与 上一代技术相比导通损耗降低约20%，能够以更高的效率、更小的封装和更高的可靠性实现应用设计。 三是在动态性能方面， S3M008120BK在相同芯片尺寸下寄生电容进一步降低，提高了开关速度，且显著 改善了MOSFET体二极管的反向恢复特性，峰值电 ...