OLED基本原理 - 有机半导体材料包括小分子(TPD/Pentacene/Alq3)和高分子(PPV/PTB7)，具有共轭结构和非定域化π电子特性 [4][5] - 发光原理基于电子从阴极注入LUMO能级，空穴从阳极注入HOMO能级，在发光层复合形成激子并释放光子 [6][9] - 典型结构包含阴极/电子传输层(100nm)/发光层/空穴传输层/透明阳极(ITO)/基板，各层能级匹配是关键 [7][8][10] - 主客体发光系统中主体材料负责载流子传输，客体材料决定发光颜色和效率 [15][16] OLED技术特点 - 自发光特性带来广视角(>170°)、高对比度(100,000:1)、快速响应(<1ms)和超薄可弯曲形态 [21][22][77] - 内部量子效率差异显著：荧光系统仅25%，磷光系统可达100% [15][16] - 热致延迟荧光(TADF)和激基复合物(exciplex)技术可进一步提升效率 [15][16] 制造工艺 - 真空蒸镀需10⁻⁷~10⁻⁶ Torr环境，材料利用率受限于Shadow Effect和金属掩膜(FMM)精度 [26][29][31] - 湿法工艺中喷墨印刷可实现RGB像素精准定位，但分辨率受喷头移动距离限制 [34][58] - 日本JDI开发的eLEAP技术采用无掩膜光刻，分辨率突破800PPI，开口率提升30% [61] 显示驱动技术 - PMOLED结构简单但效率低，仅适用于穿戴设备；AMOLED采用2T1C电路驱动电流密度降低50% [44][49][52] - 全彩化方案中RGB三色法色纯度最高，WOLED+滤光片更适合大尺寸，蓝光+转换层成本最低 [57] Micro-OLED创新 - 硅基驱动背板结合上发光结构，像素密度超3000PPI，亮度达3000nits [74][77] - 半透明阴极和反射阳极设计使开口率接近100%，功耗降低40% [70][76] - 主要应用于AR/VR设备，对比度达100,000:1，重量减轻60% [77]