申请入围"中国IC独角兽" 半导体高质量发展创新成果征集 4月29日，中国科学院上海光学精密机械研究所林楠研究员团队在极紫外光刻（EUV）光源领域取得重大突破，他们成功开发出基于固体激光器技术的激 光等离子体极紫外（LPP-EUV）光源，能量转换效率达到3.42%，超越众多国际顶尖研究水平，这项突破不仅打破了西方在EUV核心技术上的垄断，更标 志着中国半导体产业正式叩开了7纳米以下先进制程的大门。这一成果不仅是中国科研实力的有力证明，更标志着中国在半导体核心技术领域迈出了具有 里程碑意义的一步。 EUV技术 在当今数字化时代，芯片已成为现代科技的核心，而EUV光刻技术则是制造高端芯片的关键。EUV光刻技术能够将芯片上的电路图案缩小到纳米级别， 让芯片在更小的体积内集成更多晶体管，从而提升性能、降低功耗。可以说，掌握了EUV技术，就掌握了高端芯片制造的"金钥匙"。 EUV光刻的原理，简单来说，就是利用波长为13.5nm的极紫外光，通过光刻系统将掩模版上的芯片电路图案精确投影到硅片上，如同用精细的画笔在微 小的芯片"画布"上绘制电路。（简单示意EUV光刻原理，如光线从光源发出，经过反射镜组，照射带有图案的掩模版， ...