如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 近日，初创公司NEO 半导体公司再次宣布一项有望彻底改变 DRAM 内存现状的新技：两种 新的 3D X-DRAM 单元设计——1T1C 和 3T0C。据介绍，这两类设计将于 2026 年投入概念 验证测试芯片，而基于公司现有的 3D X-DRAM 技术，能在新单元的单个模块上容纳 512 Gb（64 GB）；这比目前市售的任何模块多 10 倍。NEO 的测试模拟测得 10 纳秒的读/写速 度和超过 9 分钟的保留时间，这两项性能也处于当前 DRAM 能力的前沿。 NEO指出，之所以会推出这些方案，是因为公司看到了DRAM瓶颈。据他们所说，由于10纳米技 术节点以下电容器尺寸缩小的挑战，DRAM的微缩已遭遇关键瓶颈。尽管目前开发可行的DRAM 3D工艺极其复杂，但这仍然迫切需要单片3D DRAM阵列。这正是他们推出新产品和技术的原因。 NEO指出，新推出的3D X-DRAM 1T1C 和 3T0C是一种变革性解决方案，旨在为最苛刻的数据应 用提供前所未有的密度、功率效率和可扩展性。 1T1C和3T0C，完全解读 具体而言，新的 1T1C 单元集成了一个电容器和一个晶体 ...