行业技术趋势与展会动态 - PCIM Europe 2025展会在德国顺利举办，汇聚了英飞凌、博世、Wolfspeed、罗姆半导体等SiC行业领军企业[1] - “行家说三代半”将于5月15日在上海举办“电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会”，三菱电机、意法半导体、Wolfspeed、三安半导体等企业将公布最新成果[1] 英飞凌技术创新 - 推出全新CoolSiC™ JFET系列，拥有极低的导通损耗，其第一代产品R DS(ON)最低值为1.5mΩ（750V）/2.3mΩ（1200V）[3] - 展示基于沟槽的SiC超结技术概念，可将导通电阻提高高达40%，使主逆变器电流容量提高高达25%[4] - 推出CoolSiC MOSFET 750V G2技术，R DS(on)值为4和7 mΩ，有助于降低硬开关和软开关拓扑中的开关损耗[5] - CoolSiC 750V G2技术符合汽车级AECQ101标准和工业级JEDEC标准，表现出优异的开关性能和可靠性[6] 意法半导体与博世产品进展 - 意法半导体展示了碳化硅分立器件及ACEPACK系列功率模块，其模块实现了极低的单位面积导通电阻和卓越的开关性能[7][9] - 博世带来750V&1200V SiC沟槽MOSFET等产品，其牵引逆变器冷却器上的SiC功率模块在400V时电流高达800 ARMS，在800V时电流高达700 ARMS[10][11] Wolfspeed与罗姆半导体技术展示 - Wolfspeed展示了第四代碳化硅技术平台及与NXP合作的800V电动汽车牵引逆变器，该逆变器采用YM3 Six-Pack电源模块，最高规格达1200V/650A[12][14] - 罗姆半导体重点展示与合作伙伴的参考项目，包括采用TRCDRIVE pack™的逆变器单元和适用于OBC的全新EcoSiC™模压功率模块[15][16] 三菱电机与芯联集成产品突破 - 三菱电机推出“全SiC SLIMDIP”和“混合SiC SLIMDIP”两款新品，与现有Si产品相比，“全SiC”可将功率损耗降低约79%，“混合SiC”可降低约47%[18][20] - 芯联集成成为亚洲SiC MOSFET出货量居前的制造基地，已实现平面型SiC MOSFET产品两年迭代3代，且8英寸SiC MOSFET已实现工程批下线，预计2025年下半年量产[21][23] 三安半导体与芯聚能业务进展 - 三安半导体8英寸车规级N型SiC衬底已完成研发并实现量产，已实现小批量出货；其SiC MOSFET推出第二代产品，Ronsp更低，效率更高[24] - 三安半导体SiC芯片/器件已累计出货超3亿颗，服务于全球超800家客户[26] - 芯聚能半导体V5系列模块已定点6家车厂10个项目，涵盖400V-1000V整车平台，年内出货将超1万个，预计各车型量产后全年订货量将超V2系列[27][29] 基本半导体与士兰微电子新品发布 - 基本半导体发布新一代碳化硅MOSFET系列新品，包括面向电动汽车主驱的1200V/13.5mΩ、750V/10.5mΩ系列，以及面向光伏储能的1200V/40mΩ系列[30][32] - 士兰微电子针对汽车领域推出B3G SiC模块，典型R DS(on)值为1.7mΩ @25℃，V DSS达1200V，具有高电流密度和高阻断电压等级[34][36] 威世科技与瞻芯电子解决方案 - 威世科技展示的参考设计中，其元器件占BOM的70%以上，包括22 kW双向800V至800V功率转换器等方案[37] - 瞻芯电子展示650V~3300V各种封装的SiC MOSFET和SiC SBD产品，以及20 KW三相PFC电路、11 KW三相EV空调压缩机逆变器等应用案例[38][40] 中车时代与扬杰科技合作与产品 - 中车时代半导体发布应用沟槽栅技术的SiC MOSFET晶圆（1200V/10mΩ），并与罗杰斯公司签署功率模块领域的战略合作协议[41][43] - 扬杰科技展示自主研发的IGBT、SiC、Mosfet及功率模块新品，可应用于新能源汽车主驱逆变器、充电桩DC/DC转换器、OBC等关键部件[44][46] 飞锃半导体与利普思半导体模块技术 - 飞锃半导体推出1200V/2mΩ SiC MOSFET DCM模块及1200V/7mΩ TPAK器件，其X2PAK顶部散热封装与SMPD半桥封装已通过客户验证[47][49][52] - 利普思半导体HPD SiC 1200V 400A-800A模块系列已批量应用于新能源乘用车800V高压平台电机控制器和商用车650A大功率电驱系统[53][55] 派恩杰与安世半导体技术规划 - 派恩杰半导体主营碳化硅MOSFET、SBD等产品，其碳化硅MOSFET与SBD产品均通过AEC-Q101车规级测试认证[56][58] - 安世半导体推出汽车级1200V碳化硅MOSFET，导通电阻分别为30、40和60mΩ，在25°C至175°C工作温度范围内RDS(on)标称值仅增加38%[60][62] - 安世半导体计划于2025年推出符合汽车标准的17mΩ和80mΩ SiC MOSFET版本[63] 瑞能半导体与悉智科技封装创新 - 瑞能半导体采用TSPAK封装的碳化硅MOSFET，其顶部冷却技术可将结至环境热阻降低高达16%，TSPAK MOSFET额定电压范围为650V至1700V[64][66] - 悉智科技SiC APM2主驱功率模块系统回路电感<15nH，模块回路电感<7nH，采用Rohm第四代SiC芯片，已量产交付国内某高端品牌超过6万颗模块[67][69] 材料与模块技术前沿 - 浙江晶瑞展示8英寸导电型碳化硅衬底，其微管密度<0.05ea/cm²，位错密度TSD<10ea/cm²，BPD<300ea/cm²[70][72] - Power Integrations发布适用于1700V InnoSwitch3-AQ反激式DC-DC转换器IC的五款800V汽车电源参考设计，可提供高达120W的功率[73][75] - Vincotech的SiC模块产品组合涵盖650V至2.xkV电压范围，针对1500 Vdc应用优化，可实现150V/ns以上的高dv/dt转换率[76][78] - Diamond Foundry推出世界上首个利用单晶金刚石作为热管理基板的SiC模块，电压等级1200V，典型导通电阻2.67mΩ，最高工作温度达200°C[89]