HBM技术发展现状 - HBM是AI、高性能计算、智能驾驶的核心产品，DRAM堆叠工艺发展尤为关键[1] - 目前海外HBM龙头SK Hynix已迭代到HBM3E，我国能实现规模量产的是HBM2、HBM2E[1] - 我国有望在2026E/2027E分别实现HBM3、HBM3E突破[1] - 本土HBM产业发展需Fab、设计公司、设备公司、材料公司共同努力，核心是键合堆叠环节突破[1] SK Hynix市场地位与技术迭代 - 2023年全球HBM市场SK Hynix市占率达55%，Samsung 41%，Micron 3%[2] - SK Hynix 2013年推出全球首颗TSV通孔HBM产品，2017/2019/2021年分别推出HBM2/HBM2E/HBM3[2] - 2023年完成12层HBM3(24GB)功能验证，2023年8月推出8层HBM3E，2024年10月开始量产12层HBM3E(36GB)[2] - 2024年底正在研发16层HBM3E产品(48GB)[2] SK Hynix堆叠工艺演进 - 2000年前后开发晶圆级WLP技术，2009年研发TSV通孔技术[3] - HBM/HBM2采用TC-NCF技术，HBM2E/8层HBM3采用MR-MUF技术[3] - 12层HBM3/HBM3E采用Advanced MR-MUF技术，16层HBM3E也将采用该技术[3] - 同时进行混合键合(hybrid bonding)技术验证[3] HBM供应链格局 - Samsung产线设备主要来自日本Toray、Sinkawa和韩国SEMES[4] - SK Hynix主要供应商为HANMI Semiconductor、ASMPT、Hanhwa Precision Machinery[4] - HANMI Semiconductor占据全球TC Bonder市场65%份额，HBM3E领域达90%[4] - SEMES擅长TC-NCF工艺，HANMI从2017年与SK Hynix共同开发MR-MUF工艺TC Bonder[4]