如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：本文编译自tomshardware，谢谢。 三星在韩国首尔举行的人工智能半导体论坛上透露，该公司计划在其HBM4中采用混合键合技术， 以降低发热量并实现超宽内存接口。相比之下，据EBN报道，该公司的竞争对手SK海力士可能会 推迟采用混合键合技术。 高带宽存储器 (HBM) 将多个存储设备堆叠在一个基片上。目前，HBM 堆栈中的存储芯片通常使 用微凸块（用于在堆叠芯片之间传输数据、电源和控制信号）连接在一起，并使用诸如模压底部填 充 (MR-MUF) 或非导电薄膜热压 (TC-NCF) 等技术进行键合。 这些芯片也通过嵌入每个芯片内部的硅通孔 (TSV) 进行垂直互连（通过每个 DRAM 芯片传输数 据、时钟、控制信号、电源和地线）。然而，随着 HBM 速度的提升和 DRAM 设备数量的增加， 微凸块会变得效率低下，因为它们会限制性能和功率效率。 这正是混合键合发挥作用的地方。混合键合是一种 3D 集成技术，通过键合铜与铜以及氧化物与氧 化物表面直接连接芯片，无需使用微凸块。混合键合支持小于 10 µm 的互连间距，与传统的基于 凸块的堆叠相比，可提供更低的电阻和 ...