三星与SK海力士的HBM技术路线 - 三星计划在HBM4中采用混合键合技术，以降低发热量并实现超宽内存接口 [1] - 混合键合技术通过铜与铜及氧化物与氧化物表面直接连接芯片，支持小于10µm的互连间距，提供更低的电阻和电容、更高的密度及更佳的热性能 [2] - SK海力士可能推迟采用混合键合技术，转而开发先进的MR-MUF技术，因其设备成本更低且占用晶圆厂空间更少 [2][3] - SK海力士的先进MR-MUF技术可实现比上一代更薄的HBM堆栈，满足JEDEC HBM4规范中775µm的最大高度要求 [3] 混合键合技术的竞争与供应链影响 - 混合键合设备成本高昂，目前韩国国内尚无企业具备量产能力，应用材料公司已宣布进军该市场 [5][8] - 现有HBM3E量产主要依赖TC键合机设备，韩国企业如SEMES、韩美半导体和韩华占据80%以上市场份额 [6] - 应用材料公司收购VESI公司9%股权，后者是全球唯一能量产混合键合所需先进键合设备的企业 [8] - 韩美半导体和韩华半导体正加速开发无助焊剂键合设备，作为混合键合的替代方案 [8] 技术应用与市场预期 - 三星预计在2026年量产HBM4，若成功认证混合键合技术，可能从美光和SK海力士手中夺回市场份额 [4] - SK海力士计划将混合键合技术应用于第七代HBM（HBM4E），而非HBM4 [5] - 混合键合技术未来可能成为下一代HBM堆叠的主流方法，重塑半导体设备生态系统 [7] 行业动态与设备供应商 - 三星从SEMES和日本Shinkawa采购TC键合机，SK海力士主要依赖韩美半导体和韩华 [6] - 韩美半导体在HBM3E用TC键合机市场占据垄断地位，SK海力士预计从韩华获得大量设备用于12层HBM3E量产 [6] - 半导体设备企业因HBM需求激增而增加供应，订单集中流向能稳定量产的企业 [6]