三星半导体业务战略调整 - 公司提出"置之死地而后生的三星"战略，将长期低迷的半导体部门(DS)作为技术与投资重点，显示重夺半导体王位的决心[1] - 会长李在镕亲自推动战略转型，DS部门成为集中发力点[1] 研发与投资力度 - 第一季度研发投入达9.0348万亿韩元(约467.79亿元人民币)，同比增长15.5%，创历年第一季度最高纪录[1] - 第一季度资本支出11.9983万亿韩元，同比增长6.1%[1] - DS部门资本支出创历史新高，达10.948万亿韩元，占总投资的91.2%，首次第一季度半导体投资超10万亿韩元[1] - 2015-2019年第一季度半导体投资维持在2-6万亿韩元，2020年代进入6-9万亿韩元区间，2018年繁荣期仅投资7.2181万亿韩元(占比83.5%)[1] 投资方向与技术布局 - 资本支出主要用于DS和显示(SDC)部门的先进工艺扩产与基础设施投资[2] - 强化下一代内存技术竞争力，应对中长期需求[2] - 系统半导体方面致力确保先进工艺生产能力[2] - 晶圆代工业务计划上半年实现3纳米工艺量产，下半年推进2纳米工艺投产[3] - 加快HBM4开发节奏，计划在明年市场全面启动前实现量产[3] 管理改革与组织调整 - DS部门总管全永铉成立高带宽存储器(HBM)开发团队，弥补设计能力短板[2] - 2023年11月密集召开五次DS部门全体高管讨论会，重启C.O.R.E企业文化(沟通、开放讨论、揭露问题和执行)[2] - 全永铉在去年提交反省书，提出根本性竞争力强化方案[2] 市场表现与竞争态势 - 第一季度DS部门实现1.1万亿韩元营业利润，主要得益于服务器用DRAM和NAND需求回暖及美国关税政策担忧带来的提前备货效应[3] - 在HBM领域尚未成功打入英伟达供应链，SK海力士抢占先机并夺得全球DRAM市场第一[3] - 与台积电的半导体营收差距已超过10万亿韩元[3] - 全永铉表示最快第二季度、最迟下半年第五代HBM3E的12层堆叠产品将在市场发挥主导作用[4] - 承诺对HBM4和定制型HBM等新兴市场确保按计划推进开发与量产[4]