近期，"行家说三代半"关注到，国内外又将新增2条8英寸SiC产线： 株洲中车： 8英寸SiC晶圆线有望年底通线 5月21日， 据证券时报网报道， 科创板细分行业集体业绩说明会之先进轨道交通行业专场于上证路演 中心召开， 参会公司有 株洲中车等。 会上， 株洲中车 董事长、执行董事李东林向投资者透露， 株洲三期碳化硅产线 于2024年 11月份启动建设，2025年5月实现主体厂房封顶，预计2025年下半年启动设备搬入，2025年底有望实现产线拉 通，该项目为8英寸SiC晶圆。 此外， 株洲中车还 拥有一条6英寸SiC芯片产线，当前已具备年产2.5万片6英寸SiC芯片产能。 技术方面， 株洲中车 第三代精细 平面栅 SiC 产品已定型，技术水平行业主 流；第四代沟槽栅设计定型，达行业先进水平，并且对第五代SiC技术完成布局。目前SiC重点产品包括3300V高 压平面栅SiC MOSFET、1200V精细平面栅SiC MOSFET，1200V SBD等，1200V沟槽栅 SiC MOSFET性能指 标基本对标国际龙头企业。 产品及合作方面， 株洲中车研发制造的 SiC MOSFET覆盖650V-6500V电压等级， ...