12英寸SiC技术进展 - 今年以来12英寸SiC技术突飞猛进，多家衬底及设备厂商公布进展成果 [2] - 河北晶驰机电交付河北省首台(套)12英寸电阻法高纯碳化硅晶体生长炉，采用AI算法与PVT工艺结合 [3] - 晶驰机电通过自主研发不断迭代8至12英寸长晶工艺，突破温场不均、晶体开裂等核心问题 [4] - 据统计共有14家中国厂商公布12英寸SiC进展，包括设备端和衬底端厂商 [5][6][7] SiC单晶生长工艺对比 - PVT工艺仍是碳化硅单晶生长主流工艺，感应加热法应用较多但电阻加热法热度持续升温 [9] - 感应法与电阻法在设备结构、温度控制及运营成本上存在显著差异 [9][10][12][13][14] - 电阻式加热径向温度梯度小，热场控制灵活，更适合大尺寸晶体生长但工艺匹配性要求高 [13] - 感应式加热操作简便易于控制，电阻式加热对坩埚腐蚀容忍度高但能耗较高 [14] 行业动态 - 多家企业已确认参编《2025碳化硅衬底与外延产业调研白皮书》及《2025碳化硅器件与模块产业调研白皮书》 [1] - 行业正在进行大尺寸单晶生长的工艺突破，聚焦8-12英寸碳化硅扩径和高良率生长 [15]