中国HBM技术发展 - 中国HBM3技术落后全球领先者3-4年 但差距正通过AI芯片生产规模能力缩小[2] - 长鑫存储计划2025年中期小批量生产HBM2 2026年开发HBM3 2027年生产HBM3/3E[1][14] - 中国在hybrid bonding封装技术领域占据强势地位 长江存储相关专利达119项远超三星(83项)和SK海力士(11项)[20][21] 半导体供应链国产化进展 - 中国前端半导体制造产能占全球20% 后端占40% 预计2027年37%成熟节点产能集中在中国[5] - 本土供应链已覆盖EDA设计(华大九天)、晶圆代工(中芯国际)、存储(长江/长鑫)、封装测试(通富微电)等全环节[6] - 长鑫存储DDR5技术差距从5年缩短至3年 2025年产能预计占全球DRAM市场的14%[18] AI芯片替代方案 - 英伟达计划推出GDDR7替代HBM的6000D GPU 预计2025年出货100万台 带来3.84亿美元收入[6][7] - 游戏GPU可满足中小型企业AI推理需求 预计2023-2027年中国游戏GPU市场CAGR从4%提升至10%[12] - 华为昇腾910C采用8颗HBM2E 壁仞/燧原等厂商也使用韩国HBM2/2E[13] 技术竞争格局 - 全球HBM产能2025年底预计34万片/月 长鑫存储2026年规划10万片/月 2028年扩至40万片/月[16] - hybrid bonding将成为16层以上HBM堆叠关键技术 三星/SK海力士/美光计划2027年HBM4e采用该工艺[27][28] - 长鑫存储在无EUV情况下开发15nm以下DRAM节点 面临良率和生产规模挑战[17] 产能扩张计划 - 长鑫存储2025年产能预计达540kwpm(8英寸等效) 合肥/北京工厂合计30万片/月12英寸晶圆产能[18][19] - 武汉新芯启动HBM专项 长电科技推出XDFOI封装方案 通富微电负责HBM2堆叠组装[22]