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助力SiC器件封装突破,聚峰发布创新方案
行家说三代半·2025-05-28 17:35

碳化硅衬底与外延产业 - 天科合达、天岳先进、同光股份等20余家企业确认参编《2025碳化硅衬底与外延产业调研白皮书》及《2025碳化硅器件与模块产业调研白皮书》 [1] 第三代半导体封装材料 - 聚峰推出FC-100U有压烧结铜膏 适配碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体封装需求 具备高性能金属互连特性 [2] - FC-100U在3*3mm碳化硅芯片测试中 对镀银、镀金、镀铜三种金属层均展现优异剪切强度和界面结合力 [5] - 产品在260°C、20MPa压力下10分钟完成烧结 孔隙率低至7% 形成高致密结构 [10] 产品可靠性表现 - 通过1000次-55°C~+150°C温度循环测试 热阻变化小于2% [11] - 150°C高温储存1000小时后 剪切强度变化小于3% [11] - 85°C/85%RH双85测试1000小时 剪切强度变化小于11% [13] 环保与市场前景 - FC-100U符合RoHS标准 不含铅及有害物质 高热导率可提升系统能效 [14][15] - 产品兼具批量生产能力和环保优势 有望在碳化硅、氮化镓功率器件中大规模推广 [15] 行业动态 - 小米发布碳化硅新车型 可能采用国产碳化硅方案 [17] - 英伟达推动数据中心800V技术革新 将带动碳化硅/氮化镓需求 [17] - 行业新增2条8英寸碳化硅产线 预计年底投产 [17]