报告导读： DRAM 的长远命题在于从 2D 转向 3D 架构。海外硬件大厂在储备能让 AI "泛 在"与"常开"的技术， NPU 作为协处理器的运用叠加 3D DRAM 极有可能是下一代的端侧 技术趋势。 行业观点及投资建议。 NPU 作为协处理器的运用叠加 3D DRAM 极有可能是下一代的端侧技术趋势，给 予行业"增持"评级。 DRAM 制程微缩放缓，长远命题在于从 2D 转向 3D 架构。 随着 DRAM 制程节点不断缩小，目前 DRAM 芯片工艺已经突破到了 10nm 级别。工艺完整性、成本、电容器漏电和干扰、传感裕度等方面的 挑战愈发明显，要在更小的空间内实现稳定的电荷存储和读写操作变得日益困难。随着 DRAM 芯片制程 愈发先进，长远命题在于从 2D 转向 3D 架构； 混合键合方案改进了 Micro bump 的堆叠高度限制等问 题，代表 3D DRAM 未来技术路径。 从技术差异上来说， WoW 3D DRAM 与 CUBE 及现有的 HBM 方 案主要差异在于键合方式分别为混合键合与 Micro bump 。与已广泛使用的 Micro Bump 堆叠技术相 比，混合键合不配置凸块，可容纳较 ...