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长飞先进:武汉SiC基地已投产,年产能达36万片
行家说三代半·2025-05-29 10:42

长飞先进表示,随着首片晶圆从生产车间成功下线,标志着总投资超200亿元的长飞先进武汉基地正 式投产,也意味着年产36万片碳化硅晶圆的武汉基地将全面进入量产倒计时。 文章进一步透露,长飞先进武汉基地坐落于东湖高新区光谷科学岛。项目自2023年9月1日正式破土 动工以来,不断刷新施工"进度条",从打下第一根桩到实现结构封顶,厂房建设耗时不到10个月,创造 了百亿级投资超大项目建设新速度。 加入碳化硅大佬群,请加微信:hangjiashuo999 插播: 目前,天岳先进、天科合达、 目前,武汉基地已全线配备6/8英寸兼容设备,对标国际碳化硅器件大厂;同时构建了完善的工艺流 程和完整的工艺平台,可提供全面的工艺开发与技术解决方案;并建成全自动化天车搬运工厂(Auto3), 可实现生产资源的高效利用,最大化发挥制造效率。 烁科晶体、三安半导体、同光半导体、芯聚能、安海半导体、华卓精科、快克芯、泰坦未来、士兰 微、合盛新材料、凌锐半导体、恒普技术、奥亿达、京航特碳、中电化合物、东尼电子等企业已参编 《2025 碳化硅衬底与外延产业调研白皮书》以及《2025 碳化硅器件与模块产业调研白皮书》,参编 咨询请联系许若冰(han ...