项目进展与建设速度 - 长飞先进武汉基地首片晶圆于5月28日正式下线，比原计划提前两个月投产 [1] - 项目自2023年9月破土动工至2024年6月完成主体封顶，厂房建设耗时不到10个月，创百亿级项目"光谷速度"纪录 [1] - 先导稀材高端化合物半导体材料及芯片产业化基地已全部封顶，计划年底前部分投产，从签约到开工仅4个月 [5] 政府支持与产业生态 - 武汉东湖高新区成立专项项目组协调路网及土地平整，政府配套设施建设与项目同步提速 [3] - 九峰山科技园占地10平方公里，已形成完整产业链和创新生态，2023年产业规模突破800亿元 [3] - 九峰山实验室吸引500多家企业及科研机构合作，30余家上下游企业集聚，突破硅光铌酸锂集成晶圆等核心技术 [5] 投资规模与产能规划 - 长飞先进武汉基地总投资超200亿元，一期占地344亩，规划年产36万片外延厂及6寸碳化硅晶圆厂、6100万个功率模块封测厂 [6] - 先导稀材项目计划投资120亿元，建成后将填补武汉光通信及激光产业半导体衬底材料空白 [5] 产业战略定位 - 武汉提出打造全球化合物半导体创新灯塔和产业高地，两年内实现从无到有的跨越式发展 [3] - 长飞先进武汉基地将带动上下游企业集聚，形成碳化硅为代表产业集群，与九峰山实验室构成"科技创新+产业创新"双轮驱动模式 [6][7]