瑞萨电子SiC功率半导体战略调整 - 公司已放弃原定2025年初在日本群马县高崎工厂投产SiC功率半导体的计划[1] - 此前计划在该工厂实现SiC功率器件量产，但具体投资金额和生产规模未确定[1] - 公司此前与Wolfspeed签订10年供应协议，支付20亿美元定金确保碳化硅裸片和外延片供应[1] Wolfspeed合作细节 - 协议要求Wolfspeed自2025年起供应150mm碳化硅裸晶圆和外延片，后续将升级至200mm晶圆[2] - 200mm晶圆面积比150mm大1.7倍，可生产更多芯片从而降低成本[2] - 合作将支持Wolfspeed在北卡罗来纳州的JP制造中心建设，该中心计划生产200mm晶圆[2] 行业转型与市场前景 - 公司表示合作将为其提供稳定的高品质碳化硅晶圆供应基础，助力功率半导体业务扩张[2] - Wolfspeed指出碳化硅在汽车/工业/能源领域需求攀升，合作将推动硅向碳化硅的全球转型[2] - Wolfspeed拥有35年碳化硅制造经验，新工厂投资达数亿美元以扩大产能[2] 战略调整背景 - 近期Wolfspeed传出破产消息，可能影响公司SiC业务推进[3] - 日经新闻报道显示公司SiC生产计划已实质性终止[3]