中国HBM技术发展 - 中国HBM3技术落后全球领先者3-4年，但差距正通过AI芯片生产规模能力缩小 [2] - 长鑫存储计划2025年生产HBM2，2026年HBM3，2027年HBM3E，技术差距从4年缩短至3年 [14][16] - 中国在hybrid bonding封装技术专利领先，长江存储拥有119项相关专利，三星仅83项 [21][22] 中国DRAM行业进展 - 长鑫存储DRAM技术差距从5年缩短至3年，已进入1z nm DDR5生产阶段 [2] - 长鑫存储2025年DDR5/LPDDR5产能计划提升至11万片/月，占全球DRAM产能6% [19] - 公司计划2027年将总产能扩大至698千片/月（8英寸等效），合肥和北京工厂为主要基地 [20] 替代解决方案与市场影响 - 英伟达降级版6000D GPU采用96GB GDDR7，预计2025年出货100万台，带来3.84亿美元收入 [6][7] - 中国30-40%非超大规模客户可能采用游戏GPU进行AI推理，推动该市场CAGR从4%提升至10% [12] - H20 GPU禁令导致7.2亿GB HBM需求缺口，影响市场规模8.06亿美元 [9] 中国半导体供应链竞争力 - 中国前端半导体制造产能占全球20%，后端占40%，预计2027年37%成熟节点产能集中在中国 [5] - 本土企业在EDA、晶圆代工、存储、封装测试等领域已形成完整供应链，如华大九天、中芯国际、长江存储等 [6] - hybrid bonding设备国产化率提升，华海清科、中微公司等已覆盖关键工艺环节 [26] 技术路线与行业趋势 - hybrid bonding将成为16层以上HBM堆叠的关键技术，三星/SK海力士计划2027年HBM4e采用 [28][29] - 长鑫存储开发D1α节点面临EUV缺失挑战，可能复制美光非EUV工艺路线 [18] - 华为昇腾910C GPU采用8颗HBM2E，壁仞科技等厂商也依赖韩国HBM供应 [13]