日本半导体产业复兴计划 - 日本成立Saimemory公司，整合软银资金、英特尔技术、东京大学科研实力及日本材料设备优势，旨在开发用于AI的下一代低功耗存储芯片，挑战韩国在HBM市场的主导地位[1] - Saimemory计划开发堆叠式DRAM芯片作为HBM替代方案，而非直接竞争，目标重塑市场格局[1] - 公司初始资金100亿日元（6970万美元），软银出资30亿日元，并寻求政府支持，利用英特尔芯片堆叠技术和东京大学数据传输专利[2] 公司架构与运营模式 - Saimemory采用无晶圆厂模式，专注于芯片设计和IP管理，区别于三星/SK海力士的IDM模式[2] - 软银任CFO，英特尔任CTO，东京大学任CSO，前东芝高管任CEO，计划7月启动运营[2] - 可能将生产外包给台积电或日本Rapidus代工厂，潜在合作伙伴包括Shinko和理化学研究所[3] 日本政府支持措施 - 日本政府已向Rapidus投资1.82万亿日元，修改《信息处理促进法》等法规支持半导体复兴[3] - 软银在北海道投资650亿日元（45%政府补贴）建数据中心，可能与Rapidus形成供应链协同[3] 韩国半导体产业现状 - 韩国占全球内存产量的71%和NAND闪存的51%，三星/SK海力士合计占DRAM市场73%的份额[3][4] - SK海力士2025年Q1以36%份额首超三星（34%）成为DRAM市场第一，美光占25%[5] - SK海力士占据全球HBM市场70%以上份额，独家供应英伟达12层HBM3E芯片[5] 技术竞争格局 - HBM芯片需求受AI热潮推动，成为GPU/CPU之外训练AI的关键设备[5] - SK海力士自2013年率先开发HBM技术，通过持续投入在AI需求爆发时确立领先优势[5] - 日本试图通过材料/设备优势+美台技术合作填补半导体制造空白，可能威胁韩国存储芯片地位[3]