"宁波膜智信息科技有限公司"为势银（TrendBank）唯一工商注册实体及收款账户 势银研究： 势银产业研究服务 势银数据： 势银数据产品服务 然而，扇出型晶圆级封装(FOWLP) 的制造面临着诸多新的工艺挑战。其中最大的挑战之一是提供 能够在远低于以往要求的温度下（例如 350°C - 380°C）固化的新型高温电介质。HD8900 系列等低 温固化电介质可在 200°C 左右固化，因此与 FO-WLP 封装中使用的环氧成型材料兼容。这些新型 低温固化电介质也专为 MRAM、RF、INFO、CMOS MEMS 和背面 RDL 应用等市场而开发，这些 市场中的基底、其他材料或器件封装本身对温度敏感，需要低温固化电介质。 FO-WLP 的下一个主要工艺挑战是消除重构晶圆本身不必要的翘曲，这种翘曲是由硅环氧层与其上 方的聚合物 RDL 层之间严重的热膨胀系数 (CTE) 不匹配造成的。此外，还有一个额外的挑战，即 如何消除影响重新分布的不必要的"芯片偏移"层图案化和对准，尤其是在需要芯片堆叠时。接下 来，设计师需要在"面朝上"和"面朝下"的构建能力之间做出选择，以应对芯片和模具之间的高形貌 和非平面性。最后，铜R ...