下一代光刻机,太难了!
半导体行业观察·2025-06-05 09:37
如果您希望可以时常见面,欢迎标星收藏哦~ 来源:内容 编译自 semiwi 。 在高数值孔径 EUV 光刻系统中,数值孔径 (NA) 从 0.33 扩展到 0.55。这一变化被宣传为可以避 免在 0.33 NA EUV 系统上进行多重图案化。直到最近才有具体的例子提供。事实上,在 DUV 双 重图案化已经足够的情况下,EUV 已经实现了双重图案化。 数值孔径的增加允许使用更多衍射级数或更宽的空间频率范围进行成像。对于同一幅图像,拥有更 多衍射级数可以产生更明亮、更窄的峰值,如图1的示例所示。 图 1. 对于相同的四分之一节距输入线图案,四个衍射级比两个衍射级产生更明亮、更窄的峰值。 NILS 因峰值更尖锐而得到改善。 峰值越尖锐,意味着归一化图像对数斜率 (NILS) 越好,因此光子吸收中散粒噪声的随机效应不会 那么严重。因此,与 0.55 NA 相比,0.33 NA 的直接打印图像更容易出现质量下降。 为了将散粒噪声保持在足够低的水平,以保证单次0.33 NA曝光,剂量必须增加到一定程度,使吞 吐量或光刻胶损失成为不利因素,例如> 100 mJ/cm 2。另一方面,如果将0.33 NA图案分成两个 单独曝光 ...