原文来自微博用户许政_ECC 原文链接： https://weibo.com/7794521325/Pv8Aj8Ug8 理想的SiC论文发布了。大家有兴趣的话可以看下，难度有点高。 @朱玉龙-YL 已经帮大家总结了。 实验结果，含凹坑芯片的UIS失败率明显更高，25片样品中9片失效， 而且烧毁点和凹坑位置完全 匹配。基本确认了UIS检测的有效性。 这个检测不是破坏性的，可以加入芯片制造的下线检测工艺。 这篇文章大概就说了这些东西。同时，论文的细节图里，也展示了理想采用了六边形的SiC元胞 （图7是唐伯发给我的）。六边形元胞SiC的导通电阻更小，导通面积更大，可靠性更好。但缺点是开关 损失增加（就是效率变低了）。一般来说大家用SiC追求的核心指标就是效率，所以以前SiC产品很少采 用六边形元胞的。但据说理想基于车用开关频率需求不高这个特点，定制化开发了SiC，可以解决效率的 问题。我相信理想面向全新纯电动产品的SiC，效率绝对绝对是核心指标。但是他们是如何解决效率问题 的，只能下个月到理想的工厂，去问 @唐伯伯--唐华寅 本人了。 最后还有个有趣的细节，理想派去日本和各路功率半导体大佬交流的，这篇文章一作Jin ...