全球存储市场竞争格局 - 2025年第一季度DRAM市场SK海力士以36%份额居首，三星(33.7%)和美光(24.3%)紧随其后，三家合计占94%市场份额 [1] - NAND闪存领域三星以31.9%市占率领跑，SK海力士(含Solidigm)占16.6%，美光、铠侠和闪迪分别占15.4%、14.6%和12.9% [1] - 三星电子在NAND闪存与DRAM领域展开全产业链布局，凭借垂直整合优势长期占据存储市场头把交椅，但2025年Q1 DRAM市场份额被SK海力士超越 [1] - SK海力士在HBM市场占据近70%份额，成为英伟达等AI巨头核心合作伙伴 [2] - 美光科技覆盖从传统存储到先进3D XPoint技术，在PC、智能手机、数据中心等市场保持强劲议价能力 [2] 存储行业历史变迁 - 英特尔1970年推出全球首款1K DRAM芯片1103，70年代一度占据DRAM市场90%份额 [6] - 1980年代日本企业通过VLSI国家项目实现技术突破，1985年日本在全球DRAM市场份额达80% [9][10] - 1986年《美日半导体协议》削弱日本产品竞争力，2008年金融危机后日本存储企业全线溃败，2012年尔必达破产标志日本DRAM产业退出历史舞台 [9][10] - 英特尔1985年退出DRAM市场转向CPU领域，2025年彻底剥离NAND业务退出存储主战场 [6][7] 新兴技术竞争态势 - 英特尔与软银合资成立Saimemory，开发基于堆叠式DRAM的新型AI内存芯片，目标将功耗降低50%，成本降至HBM的60% [11][12] - Saimemory技术方案通过垂直堆叠多颗DRAM芯片并改进互连技术，目标实现512GB单芯片容量 [11] - 三星2024年宣布推出3D堆叠式DRAM，NEO Semiconductor开发3D X-DRAM技术，但Saimemory聚焦低功耗特性 [12] - 软银注资30亿日元成为Saimemory最大股东，项目获日本政府超50亿日元补贴 [12] 未来市场影响 - Saimemory计划2027年完成原型设计，2030年前实现商业化，目标抢占日本数据中心市场 [14][15] - 该合作可能从技术路径、市场份额和产业生态三个维度挑战存储巨头，预计在AI存储市场开辟10%-15%的低功耗细分市场 [17][21] - 三星加速推进HBM4量产，SK海力士2025年HBM产能将翻倍至54万颗/月，可能通过价格战挤压新兴竞争者 [18][19] - 存储市场竞争维度从制程竞赛转向架构创新与生态整合，低功耗技术可能重塑未来十年产业格局 [17]