东京大学研究生院工学研究科教授关真一郎的研究团队正在推进开发。该团队确认了在第三 类磁性材料中可以读写构成数字信息的"0"和"1"。与传统磁体的内存相比，速度快100倍以 上，并且预计可以压缩到原来的1/100…… 如今，电子设备的存储器几乎全部为电存储，但近年来，可以节能的磁存储备受关注。据印 度调查公司Mordor Intelligence预测，MRAM的市场规模到2029年将从2024年的约20亿美 元扩大至约226亿美元。 另一方面，现有MRAM存在难以提高容量的课题。MRAM使用名为"铁磁性材料"类别的材 料，当以很高的密度排列材料中的微小磁铁时，各个磁铁之间会相互干扰，导致无法准确读 写数据。因为需要确保间隔来排列，因此容量较低。 于是，使用第三类交替磁性的MRAM引发关注。这种磁铁之间不会发生干扰。能以较小的间 距排列磁铁，理论上集成率可提高到传统MRAM的100倍。读写速度也有望从以往的纳秒（1 纳秒为十亿分之一秒）级别提升至皮秒（1皮秒为一万亿分之一秒）级别。 具有磁铁性质的物质被称为"磁性材料"。目前已知有两种类别，而2022年德国的研究团队发 现了第三种类别。这种被称为"交替磁性材料"， ...