第三类磁性材料的突破性发现 - 东京大学关真一郎团队证实第三类磁性材料（交替磁性材料）可实现数字信息"0"和"1"的读写，读写速度比传统磁体内存快100倍以上，存储体积可压缩至1/100 [1][3] - 该材料在室温下工作且具备非易失性，断电后数据仍可保存，由铁和硫磺等丰富元素构成，成本优势显著 [1][3][5] - 第三类磁性材料为约100年来首次发现，其微观磁极排列方式独特，被美国《科学》杂志列为2024年十大科学新闻 [3] 技术优势与市场潜力 - 交替磁性MRAM理论集成密度可达传统MRAM的100倍，读写速度从纳秒级跃升至皮秒级，有望比肩DRAM/SRAM性能 [5] - 现有MRAM因铁磁性材料磁极干扰导致容量受限，而交替磁性材料可高密度排列且无干扰 [5] - 全球MRAM市场规模预计从2024年20亿美元增至2029年226亿美元（CAGR约62%），节能特性驱动需求 [5] 应用场景与产业影响 - 高性能交替磁性存储器可加速AI运算并延长智能手机续航，韩国和中国在相关领域研究成果突出 [6] - 该材料适用于智能手机闪存，理论擦写次数无限且成本低，可能替代现有闪存技术 [6] - 目前实验阶段已制备3毫米见方晶体，薄膜制备研究推进中，元件结构与现有MRAM兼容利于快速产业化 [3][6]