NVIDIA与SOCAMM技术 - NVIDIA委托三星、SK海力士和美光开发SOCAMM记忆体模组，美光成为首家获得量产批准的公司，速度超越三星和SK海力士[1] - SOCAMM由16个堆叠成四组的LPDDR5X芯片组成，采用打线接合方式制造，铜线连接技术可降低发热量，美光宣称其DRAM电源效率比竞争对手高20%[1] - SOCAMM将纳入NVIDIA下一代AI加速器「Rubin」，主要作用是辅助CPU确保AI加速器达到峰值效能[1] 美光的技术优势与市场表现 - 美光较晚采用极紫外光（EUV）曝光设备，但通过设计结构创新提升DRAM效能并控制热量，使其早于三星与SK海力士供货[2] - 美光在三星Galaxy S25系列中成为主要记忆体供应商，并早在2022年率先开发出全球首款LPDDR5X并导入iPhone 15系列[2] - 美光在新加坡、广岛、纽约和台中建设HBM厂，今年资本支出高达140亿美元，显示其技术实力和潜在订单增长[3] SOCAMM技术的应用前景 - NVIDIA下一代AI伺服器将配备四个SOCAMM模组，相当于256颗LPDDR5X芯片[2] - SOCAMM技术可能应用于NVIDIA正在开发的个人超级电脑「Digits」，若普及将大幅提升需求[2] - 业界关注SOCAMM的扩展性，美光凭借低热量技术有望扩大HBM市占率，应对堆叠DRAM芯片的热问题[3] HBM市场动态 - 三大记忆体厂商预计下半年量产12层堆叠HBM4，明年上半年推出16层堆叠HBM4[3] - 美光虽进入HBM市场较晚，但凭借散热管理技术和美国企业地缘优势，可能快速追赶[3]