公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 领 先 的 晶 圆 代 工 厂 和 IDM 厂 商 正 朝 着 2 纳 米 （ 或 同 等 ） 技 术 节 点 的 量 产 迈 进 ， 其 中 环 栅 （GAA）纳米片晶体管将发挥核心作用。GAA纳米片器件架构作为FinFET技术的后继者，旨 在进一步缩小SRAM和逻辑标准单元的尺寸。 GAA 纳米片器件的主要特点是垂直堆叠两个或多个纳米片状导电沟道，每个逻辑标准单元包含一个 堆叠用于 p 型器件，另一个堆叠用于 n 型器件。这种配置允许设计人员进一步缩小逻辑标准单元高 度，其定义为每个单元的金属线（或轨道）数量乘以金属间距。设计人员还可以选择加宽沟道，以牺 牲单元高度为代价换取更大的驱动电流。除了面积缩小之外，GAA 纳米片晶体管相比 FinFET 还具 有另一个优势：栅极从各个方向包围导电通道，即使在较短的通道长度下也能增强栅极对通道的控 制。 在芯片制造商过渡到CFET（complementary FET ）技术之前， GAA 纳米片技术预计将持续至少三 代技术。 图 1 – GAA 纳米片器件的 TEM 图像 A10 技术节点，预计该节点的单元高度将小至 ...