在原子级薄的二维 （2D） 半导体中调整载流子密度颇具挑战性，这是因为其固有的物理空间有限，难以掺入电荷掺杂剂。 2025 年 6 月，湖南大学化学化工学院 段曦东 教授团队在国际顶尖学术期刊 Science 上发表了题为 ： Gate-driven band modulation hyperdoping for high- performance p-type 2D semiconductor transistors 的研究论文 【1】 。 该研究利用栅极驱动能带调制超掺杂，用于高性能 p 型二维半导体晶体管的制备， 创下了 同类器件 新纪录。 值得一提的是，早在 2017 年 ， 段曦东和段镶锋教授作为共同通讯作者，在 Science 期刊发表论文 【2】 ，实现了 2D 异质节、多异质节以及超晶格的可控外延 生长，这是湖南大学首次作为第一单位发表 Science 论文。 编辑丨王多鱼 排版丨水成文 在这项最新研究中， 段曦东团队表明 ，在 III 型范德华异质结构中，层间电荷转移掺杂可通过外部栅极进行大幅调节，从而实现超掺杂效应。系统化的栅控霍尔 测量表明，调制的载流子达到了 每平方厘米 1.49×10 ...