光刻产业技术发展 - 半导体芯片集成高密化和线路精细化进程中，光刻与刻蚀工艺起决定性作用，尤其在前道制程中光刻机与刻蚀机分辨率直接影响集成电路精细化水平[1] - 光刻机技术演进路径清晰：从g-line(436nm)、i-line(365nm)到KrF(248nm)、ArF(193nm)，再到浸没式ArFi(134nm)和EUV(13.5nm)，制程节点从0.5µm逐步突破至3nm[2] - 金属材料随制程升级从铝(Al)过渡到铜(Cu)，晶圆尺寸从200mm全面转向300mm[2] 中国光刻机研发现状 - 中国光刻机研制始于70年代接触式曝光系统，但产业化滞后受早期"造不如买"思潮影响[3] - 国家战略推动发展：2002年ArF光刻机列入"863计划"，2008年启动"02专项"，形成科研院所+高校+整机厂的类ASML协作模式[3][4] - 主要研发机构包括中科院微电子所、长春光机所、上海光机所及清华、浙大、哈工大等高校[3] 国产光刻机产业链突破 - 整机领域：上海微电子已实现90nm ArF光刻机(SSA600系列)出货，上海芯东来完成i-line/KrF光刻机出货[5] - 核心子系统： - 光源系统：科益虹源193nm ArF激光器完成出货，40W 4kHz KrF激光器量产[5] - 光学系统：国望光学交付90nm ArF曝光系统，28nm浸没式系统在研[5] - 双工件台：华卓精科干式光刻机工件台已供货，浸没式工件台(DWSi)研发中[5] - 浸没系统：启尔机电提供超洁净流控系统及零部件[5] 行业活动与平台 - 势银(TrendBank)将于2025年7月9-10日举办第五届光刻产业大会，聚焦先进光刻技术、材料及设备的最新进展与挑战[7] - 势银定位为产业研究与数据平台，提供数据产品、研究服务及行业会议，覆盖半导体等领域[13]