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三星存储:一个坏消息,一个好消息
半导体芯闻·2025-06-13 17:39

如果您希望可以时常见面,欢迎标星收藏哦~ 来源:内容 编译自zdnet 。 蚀刻及相关设备的额外评估计划于今年下半年进行。考虑到评估进度,最早也要到明年第一季度才 能确认供应链并进行实际量产投资。 引进新设备的投资成本也被指出是三星电子推迟投资V10 NAND量产的一大因素。 三星电子正在为下一代NAND V10(第10代)的量产战略苦苦挣扎。 供应链构成评估预计将在今年下半年进行,预计全面量产投资要到明年上半年才能实现,比最初预 期的要晚。据悉,高层NAND需求的不确定性、新技术的引入以及成本负担正在阻碍该公司的发 展。 据业内人士13日透露,三星电子正在讨论将V10 NAND量产设施的投资推迟至明年上半年的计 划。 三星电子的V10 NAND是下一代产品,其单元(存储数据的最小单位)堆叠层数为430层。它比目 前已商业化的最新一代产品V9(预计为290层)高出100层。业界一直预测,三星电子最早将于今 年下半年开始对V10 NAND进行量产投资。 然而,三星电子直到本月才最终敲定蚀刻设备等核心NAND设备的供应链。这是因为高堆叠NAND 的需求存在不确定性,而且新工艺的引入带来的成本效益问题也阻碍了投资。 ...