半导体技术突破 - 布里斯托大学团队开发了SLCFET晶体管结构，利用GaN材料中的锁存效应提高速度和功率，推动6G技术发展[4] - 该技术突破可能实现自动驾驶、远程医疗诊断和虚拟现实等未来应用场景[4] - 研究成果发表在《自然电子》杂志，可加速全球范围内的海量数据传输[4] 6G技术潜力 - 6G网络需要半导体技术、电路和系统的重大升级，关键元件GaN射频放大器需提高速度、功率和可靠性[7] - 6G应用包括远程医疗、虚拟教育、工业自动化和高级驾驶辅助系统，潜力仅受想象力限制[5][7] - 行业合作伙伴计划将下一代设备商业化，需进一步提高功率密度以服务更广泛用户[12] SLCFET技术细节 - SLCFET采用超晶格城堡场效应晶体管结构，使用超过1000个宽度小于100纳米的鳍片驱动电流[9] - 在W波段频率范围（75-110千兆赫）展现最高性能，锁存效应发生在最宽的鳍片上[9] - 3D模拟验证了锁存效应，长期测试表明该效应不影响器件可靠性，关键因素是鳍片周围的介电涂层[11][12] 研究团队背景 - 布里斯托大学器件热成像与可靠性中心（CDTR）专注于下一代半导体电子设备开发[7][13] - 团队利用宽带隙和超宽带隙半导体改善器件热管理、电气性能和可靠性[13] - 研究覆盖净零排放、通信和雷达技术领域[13]