台积电暂缓采购ASML High-NA EUV光刻机 - 台积电仅象征性采购1台ASML新一代High-NA EUV光刻机，全球迄今仅售出5台，与以往新机未发布便被预定形成鲜明对比 [1] - 台积电高管明确表态1.4纳米制程无需依赖High-NA EUV光刻机，尚未发现必须采购的技术动因 [1] - High-NA EUV光刻机单台售价高达4亿美元（约30亿人民币），但性能未实现代际突破 [2] 技术替代与创新 - 台积电技术团队在延长EUV光刻机使用寿命方面取得突破，1.4纳米制程在同等功率下性能可提升15%，或在相同频率下功耗降低25%-30% [2] - 公司认为持续创新可避免High-NA EUV的应用需求 [2] - Low-NA EUV光刻机（NA=0.33）价格约1.5亿美元/台，适用于7-3nm工艺，而High-NA（NA=0.55）理论上更适合3nm以下工艺 [3] 半导体行业格局变化 - 全球半导体权力结构正经历冷战后的最大洗牌，欧美巨头依靠专利壁垒维持高价垄断的时代走向终结 [2] - 中国在7纳米芯片制造、SiC功率器件等领域实现突破，迫使英飞凌、富士等外资IGBT模块2025年降价30% [2] 光刻机技术发展现状 - EUV光刻机全球仅ASML能生产，是制造7nm以下芯片的必需设备 [2] - 光源技术从436nm波长发展到13.5nm极紫外光，波长越短分辨率越高 [4] - ASML EUV光源功率达250W，国产ArF光源功率60W接近ASML的80W，但EUV光源仍处实验室阶段 [4] - ASML EUV设备物镜NA达0.55，国产物镜NA仅0.75且依赖德国蔡司 [4] - ASML EUV光刻机支持5nm及以下制程，套刻精度≤1.5nm，国产光刻机最高制程28nm，套刻精度≤8nm [4]