美光科技2000亿美元投资计划 - 公司宣布将在美国芯片制造和研发领域投资约2000亿美元，包括1500亿美元内存制造和500亿美元研发投资，比原计划增加300亿美元 [2][7] - 投资计划包括在爱达荷州建立第二家内存制造工厂、弗吉尼亚工厂现代化改造、纽约四家晶圆厂建设，以及HBM封装能力建设 [3][7][8] - 预计创造9万个直接和间接就业机会，目标使美国DRAM产量占比达到40% [7][10] HBM技术进展与市场前景 - 公司已向主要客户送样12层堆叠36GB HBM4内存，传输速率超2.0TB/s，性能较前代提升60% [5] - HBM在AI市场应用广泛，券商预测全球HBM行业收入将以年均55%速度增长至2027年 [4][13] - 公司HBM业务收入增速有望达90%，最终占DRAM产品收入的45% [13] 行业动态与价格趋势 - DDR4(8GB)价格4月环比上涨22.2%至1.65美元，NAND Flash(128GB)价格较去年底上涨34% [16] - DRAM现货价格上周平均涨幅8.2%，部分品类涨幅达17.16% [17] - 公司确认将逐步停止DDR4出货，预计未来2-3个季度完成停产 [17] 市场反应与合作伙伴评价 - 瑞穗将目标价上调至130美元，瑞银上调至120美元，均维持买入评级 [12] - 英伟达CEO表示美光投资是AI生态系统重要进步，苹果CEO强调与美光的合作关系 [14] - 公司已获得2.75亿美元《芯片法案》直接资助，预计总投资将获得64亿美元支持 [9][10] 产能规划与建设进度 - 爱达荷州第一家晶圆厂DRAM产量计划2027年开始，第二家晶圆厂将在纽约工厂前投产 [8][9] - 纽约工厂地面准备工作预计今年晚些时候开始 [8] - 弗吉尼亚工厂扩建和现代化项目已获得资金支持 [10]