如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容编译自 techradar 。 新型人工智能存储芯片或可帮助降低大型数据中心的能源消耗。 据报道，软银和英特尔正在联手开发一种新型的以人工智能为重点的高带宽内存，他们希望这种内 存能够与韩国科技巨头三星和 SK 海力士生产的 HBM 产品相媲美。 《日经亚洲》报道称，双方的目标是打造具有新布线结构的堆叠式 DRAM 芯片，与目前的 HBM 芯片相比，可将功耗降低一半。 该计划将由一家名为 Saimemory 的新公司牵头，预计两年内推出原型，并计划在 2030 年之前实 现商业化。 图片来源： Shutterstock/Tupungato 软银和英特尔计划推出低功耗内存，与韩国 HBM 竞争 Saimemory 计划于 2030 年推出，但面临严重的市场延迟 英特尔和软银已涉足人工智能芯片和技术投资 太晚了？ 尽管Saimemory在技术上雄心勃勃，但时间表却构成了严峻挑战。三星和SK海力士的产品已经领 先几代，并稳稳地占据了全球HBM市场的主导地位。等到Saimemory将其替代方案推向市场时， 现有厂商的领先优势很可能已经进一步扩大。 软银一位高管向《日 ...