据报道，截至6月18日，两家韩国芯片制造商都在加紧开发可投入使用的4F² DRAM原型。一位半 导体行业消息人士表示："在全面启动3D DRAM开发之前，两家公司计划在年内完成并验证可实 际运行的4F² DRAM原型。一旦确认其商业可行性，他们打算在此结构基础上进军3D DRAM领 域。" 相比之下，据称美国美光科技将完全跳过 4F² DRAM，而是选择直接进入 3D DRAM 开发。 如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容 编译自 chosun 。 据业内人士透露，三星电子和 SK 海力士正在加速开发下一代三维 (3D) 动态随机存取存储器 (DRAM)，两家公司都计划在今年年底前完成并测试垂直结构"4F² DRAM"的早期原型。 4F² DRAM 架构与传统的平面 DRAM 架构截然不同，它采用垂直堆叠方法，克服了现有结构在微 型化方面的限制。该设计有望提升性能、数据传输速率和能效。三星电子和 SK 海力士都将 4F² DRAM 定位为迈向成熟 3D DRAM 技术的过渡。 DRAM 将信息存储在称为单元 (cell) 的单元中，每个单元的面积通常表示为 F²。迄今为止，标准 架构是 6F² ...