以下文章来源于AOSemi ，作者新品速递 AOSemi . 集设计、开发生产与全球销售一体的功率半导体供应商。 专为高功率密度应用而设计的 DFN3.3x3.3 源极朝下封装，采用创新的栅极中置布局技术，可大幅简化 PCB 走线 设计。 日前，集设计研发、生产和全球销售为一体的著名功率半导体及芯片解决方案供应商 Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS, 纳斯达克代码:AOSL）推出采用DFN3.3x3.3源极朝下（Source Down）封 装技术的 AONK40202 25V MOSFET。该产品专为高功率密度DC-DC应用设计，可完美满足AI服务器和 数据中心电源系统的严苛需求。 AONK40202 的创新源极朝下封装技术，使源极与PCB有较大的接触面 积从而优化散热与电气性能，同时其栅极中置布局简化了PCB上走线设计，最大限度地减少栅极驱动器连 接，进一步提升能效与系统可靠性。 AONK40202 MOSFET 具有出色的电流处理能力，其采用带夹片（Clip）的 DFN3.3x3.3 源极朝下封装 技术，可提供高达319A 的持续电流，最高结温高达 175° ...