如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容来自 technews 。 外媒报导，一位英特尔（Intel） 的主管预期，未来的晶体管设计将使高阶微影曝光设备在先进半 导体制造中的重要性有所降低。此一观点，最初发表在投资研究平台Tegus 上，并在X 平台上被分 享。 Wccftech 报导指出，目前阿斯麦（ASML） 的极紫外光（EUV） 微影曝光设备是现代高阶芯片 制造的关键核心，这使得台积电等领先半导体制造企业能够在硅晶圆上蚀刻出极其微小的电路图 案。在高阶半导体制程当中，藉由微影曝光设备将复杂的设计图案转移到晶圆上。之后，这些图案 随后透过沉积（deposition） 和蚀刻（etching） 等后续技术得以固化。沉积是将材料附着到晶圆 上，而蚀刻则是选择性地移除这些材料，最终形成芯片内部的晶体管和电路。过去，EUV 微影曝 光设备因其能够转移，或列印微小电路设计的能力，在制造7 纳米及更高阶技术的芯片中扮演了举 足轻重的角色。 然 而 ， 该 英 特 尔 主 管 认 为 ， 随 着 晶 体 管 设 计 的 持 续 演 进 ， 特 别 是 导 入 了 环 绕 闸 极 场 效 晶 体 管 （GAA ...