在高NA曝光中，入射光以较小的角度照射到光罩上。由于EUV光学元件具有反射性，入射光可能 会在到达晶圆之前与折射光发生干扰。新思科技（Synopsys）的应用工程师Zachary Levinson解 释说，高NA系统使用变形镜头来避免这个问题，在一个方向上缩小4倍，在另一个方向上缩小8 倍。遗憾的是，这种解决方案会将标准6×6英寸光罩的曝光范围减半。 将单个电路层分割到多个光罩上会立即引发良率问题，尤其是对于尺寸本身就极具挑战性的关键 层。除了设计的两半必须彼此精确对准外，它们还必须与上方的完整场层对准。Levinson 估计， 2nm 的掩模间套刻误差将导致图案关键尺寸至少出现 10% 的误差，且不考虑任何其他误差源。 要使高NA EUV 光刻技术发挥作用，需要采用适合制造的方法来拼接电路或对更大的掩模进 行全面改变。 曝光场之间的电路拼接对高数值孔径 (0.55) EUV 转换的设计、良率和可制造性提出了挑战。替代 方案是彻底将 6×6 英寸掩模版改为 6×11 英寸掩模版，从而消除电路拼接，但需要几乎完全更换 掩模版制造基础设施。 现代多核 SoC 具有越来越大的片上内存，通常难以保持在光罩极限内，即 ...