三星1c DRAM进展 - 公司在第六代10纳米级DRAM（1c DRAM）晶圆测试中实现50%至70%良率，较去年不足30%大幅提升[1] - 与SK海力士和美光坚持使用HBM4 1b DRAM不同，三星押注下一代1c DRAM技术[1] - 计划在华城和平泽工厂提高1c DRAM产量，投资预计年底启动[1] - 重新设计芯片导致量产延迟一年，新DRAM将在平泽4号线生产，供应移动和服务器应用[3] HBM4市场动态 - 三星HBM4量产计划预计今年晚些时候启动，DRAM作为核心组件进展是关键[1] - TrendForce指出HBM4产品周期尚未开始，验证仍处早期阶段[1] - 2026年HBM总出货量预计超300亿千兆位，HBM4市场份额将在2026年下半年超越HBM3e[6] 竞争对手策略差异 - SK海力士采取谨慎立场，HBM4继续采用1b DRAM工艺，HBM4E量产后才扩大1c DRAM产量[5] - SK海力士1c DRAM测试良率超80%，最高达90%，已于2024年8月完成开发[6] - 三星可能利用规模经济和产量优势在HBM4时代超越竞争对手[3]