如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容来自 Trendforce 。 据报道，三星寄希望于其在1c DRAM领域的进展，希望扭转HBM4时代的颓势，并大幅提升了良 率。据Sedaily报道，该公司最近在其第六代10纳米级DRAM（1c DRAM）晶圆的测试中实现了 50%至70%的良率，较去年的不足30%的水平大幅提升。 值得注意的是，与SK海力士和美光坚持使用更为成熟的HBM4 1b DRAM不同，三星正在大胆押 注下一代1c DRAM。据ZDNet报道，随着良率的稳步提升，该公司计划在其华城和平泽工厂提高 1c DRAM的产量，投资预计将于年底开始。 Sedaily 报道称，鉴于 DRAM 作为 HBM 核心组件的作用，这一进展也预示着三星的 HBM4 量产 计划将在今年晚些时候启动。 值得注意的是，据 Sedaily 援引业内消息人士称，凭借雄厚的现金储备和丰富的制造专业知识，三 星可能会重新审视其旧策略——利用规模经济来削减成本，并在 HBM4 时代凭借绝对的产量超越 竞争对手。 不过，据韩国媒体The Bell报道，与三星不同，SK海力士在1c DRAM的投资上采取了更为谨慎的 立场。 ...