整体业绩表现 - 2025财年第三季度营收93亿美元，环比增长15.5%，超出市场预期的88.5亿美元，主要受NAND出货增加和HBM增长带动 [1] - DRAM和NAND出货量环比增速均超过20%，但两项产品均价仍环比下滑 [1] - 核心经营利润21.7亿美元，环比增长22%，毛利率回升至37.7% [2] - 2025财年第四季度预期收入104-110亿美元，超出市场预期的98.9亿美元，预期毛利率40%-42% [2] DRAM业务 - 第三季度DRAM收入70.7亿美元，环比增长15.5%，均价环比下滑4%，增长主要由出货量环比增长20%驱动 [1] - HBM业务预计实现15亿美元收入，环比增长约5亿美元，随着GB300量产，下半年HBM增长有望继续扩大 [1] - DRAM收入占比提升至76%，环比增长15.5% [3] NAND业务 - 第三季度NAND收入21.6亿美元，环比增长16.2%，均价环比下滑7%，但出货量环比增长25% [1] - NAND收入占比23.2%，环比增长16.2% [3] - 增长主要受益于数据中心及客户端需求带动 [1] HBM业务进展 - HBM3E 12-high已进入英伟达GB300供应链，预计下季度进入8Hi与12Hi交叉供应状态 [4] - 2025年HBM收入有望达到70-80亿美元，下半年预计实现40-50亿美元收入 [6] - 2025年6月已向客户送样HBM4 12Hi，预计2026年量产 [6] 行业竞争格局 - SK海力士率先量产12层HBM3E，并已送样HBM4 12Hi，预计2025年下半年或2026年量产 [6] - 三星尚未打入英伟达供应链，但坚称2025年下半年量产HBM4 [6] - 美光在HBM市场份额仍落后于SK海力士 [6] 市场驱动因素 - HBM能否超预期增长及缩小与海力士的差距是股价核心驱动点 [5] - 端侧AI硬件渗透及传统产品回暖周期可能带来额外增长机会 [7] - DDR产品均价提升主要受美光、三星等停供DDR4的担忧影响 [7] 财务展望 - 2026财年业绩有望明显提升，预计PE为11-12倍 [8] - 2025-2029财年利润端复合增长率预计16.5%，平均PE约13-14倍 [8] - 当前股价已反映2025年HBM收入70-80亿美元的预期 [8]