半导体先进封装技术发展 - 混合键合技术是从焊料凸块转向铜-铜直接键合的先进互连工艺，通过无凸点键合实现纳米级精度互联，解决传统微凸点技术在高密度封装中的瓶颈问题 [2] - 2020年全球混合键合设备市场规模达3.2亿美元，预计2027年CoW(D2W)/WoW(W2W)市场规模将分别攀升至2.3亿/5.1亿美元，CAGR高达69%/16% [2] 中国半导体设备产业突破 - 艾科瑞思(ACCURACY)成为Yole报告中首个被收录的中国D2W设备供应商，拓荆科技(Piotech)的W2W设备亦被同步收录，标志中国企业在高端封装领域实现技术突破 [4] - 中国封装设备企业的技术突破为全球半导体封装产业链提供了多元化设备选项，推动行业技术竞争格局向更开放方向演进 [9] AI算力驱动混合键合渗透 - AI算力需求爆发推动混合键合在HBM、3D IC等高端封装场景渗透率提升，预计2028年混合键合在HBM市场渗透率将从2025年的1%跃升至36% [6] 国际巨头技术布局 - 三星计划2025年下半年量产采用长江存储W2W混合键合技术的V10 NAND闪存，实现420-430层堆叠 [8] - 美光加速推进HBM4量产计划，预计2026年推出采用混合键合技术的HBM4产品，2027-2028年量产带宽提高60%以上的HBM4E [8] - SK海力士计划2026年将混合键合技术引入HBM4生产流程，针对20层以上的HBM5明确采用该技术 [8] - 台积电N2节点支持12层HBM4集成，N2P节点互连密度达1000万/mm²；英特尔在CoW领域实现3μm间距突破 [8] - 应用材料收购混合键合D2W领头羊Besi 9%股份以强化合作 [8]