公司概况 - 长鑫存储成立于2016年，总部位于安徽合肥，是国内唯一实现DRAM芯片规模化量产的企业，采用IDM模式覆盖芯片设计、晶圆制造到封装测试全产业链 [1] - 公司注册资本约601.93亿元，无控股股东，第一大股东为合肥清辉集电（持股21.67%），法定代表人为赵纶 [1] - 产品应用于移动终端、电脑、服务器等领域，已突破19纳米DDR5芯片量产技术，良率接近国际大厂水平，成为全球第四家掌握20纳米以下DRAM工艺的厂商 [1] 技术突破与产能扩张 - 2024年下半年已量产HBM2产品，计划2026年推出HBM3，12层HBM3样品于2025年6月通过国内AI芯片厂商测试认证 [1] - 2024年Q1月均产量10万片，2025年Q1翻倍至20万片，全年预计总产量273万片（同比+68%） [2] - 2025年底DRAM全球市场份额预计从6%提升至8%，DDR5和LPDDR5产品占比分别增至7%和9% [2] 资本市场进展 - 2024年3月以1399.82亿元投前估值完成108亿元融资，投后估值达1508亿元，投资方包括兆易创新、合肥产投等机构 [3] - 2025年6月证监会"1+6"政策支持未盈利硬科技企业上市，公司已启动A股上市辅导，最快2025年底或2026年初提交IPO申请 [3] 行业地位与竞争策略 - 全球DRAM市场由三星、SK海力士、美光垄断（合计>90%份额），公司以高性价比策略（部分产品价格仅为国际品牌50%）冲击中低端市场 [3] - 2025年产能规模有望达SK海力士一半，低价策略可能引发行业价格战 [3] 产业链协同效应 - 上游与北方华创、江丰电子合作推动设备及材料国产化，下游进入小米、vivo、OPPO等手机厂商供应链 [4] - HBM量产推动国产产业链落地，博敏电子作为核心供应商同步启动载板量产 [1][4] 政策支持 - 国家大基金三期持续加码半导体国产化，公司作为重点支持对象已获得两轮大基金投资 [2]