半导体行业上市潮 - 长鑫启动上市辅导 加上国内两家龙头GPU厂上市辅导通过 可能标志着半导体行业迎来上市潮 [1] - 长鑫是国内最领先的DRAM/HBM厂商 国内外研报一致看好其国产替代潜力 [1] HBM技术路线 - CXMT计划2026年上半年量产HBM2E 2025年中实现小规模量产 [2] - 长鑫存储计划2025年底前交付HBM3样品 2026年全面量产 2027年开发HBM3E以缩小与国际巨头的技术差距 [2] - 先进封装合作伙伴包括通富微电 长电科技和晋华集成电路 通富微电提供TSV技术和KGSD键合技术支持 [3] 产能规划 - CXMT的HBM产能到2026年底达1万wpm 2028年底扩大至4万wpm [4] - 全球HBM产能到2025年底预计达34万wpm 显示长鑫仍有较大发展空间 [4] - DRAM领域 长鑫计划2025年底将DDR5/LPDDR5产能提升至11万wpm 占全球DRAM产能6% [5] - 合肥工厂和北京工厂长期产能可能超30万wpm [5] - 2025年长鑫DRAM芯片产量预计占全球14% 但实际市场份额可能因良率问题降至10% [6] 技术进展 - 长鑫在不使用EUV光刻的情况下开发D1节点面临良率和规模生产挑战 [7] - 已能在1z纳米节点制造DDR5芯片 但裸片尺寸较大 良率未完全验证 [7] - 推出16nm节点16Gb DDR5芯片 比18nm第三代DRAM缩小20% 目前技术落后国际大厂约3年 [7][10] - UBS预计2024年底产能达17万片/月 2025年底接近23万片/月 已开始提供DDR5样品 [10] 产能数据对比 - 2025年预计产能540kwpm(8英寸等效) 2028年达799kwpm [6] - 合肥一期12英寸产能2025年达120kwpm 二期2026年达75kwpm [6] - 北京工厂12英寸产能2026年达60kwpm 2028年70kwpm [6]