SiC市场现状与挑战 - 全球SiC市场规模约35亿美元（250亿元人民币），汽车应用占比72%，光伏储能等占21.5%，年复合增长率20%，预计2030年达103亿美元[3] - 国内厂商全球材料份额超30%，但整体产值仅4亿美元，远低于海外36亿美元，呈现"热闹但内卷"局面[3] - 价格战主因：产能过剩（国内重资产扩产但质量不足）、零和博弈（厂商囚徒困境）、资本短视（劣币驱逐良币）及高沉没成本[3][5][7][8] 价格战深层原因 - 产能过剩：SiC衬底生产周期长达3周/10厘米晶体，国内厂商以规模弥补技术短板导致低质产能堆积[3] - 零和博弈：厂商为生存被迫降价，陷入"杀敌一千自损八百"恶性循环，类似孤岛资源争夺[5] - 资本透支：互联网资本涌入催生虚报产能、低价倾销乱象，优质企业反被挤出市场[7] 破局五条路径 - 差异化竞争：学习日本"不争第一只做唯一"策略，聚焦车载充电器、光伏定制器件等细分领域[13][14] - 产品升级：从单一器件转向系统整合（如功率模块、芯片电路一体化设计），提升附加值[15][17] - 技术前瞻：布局氧化镓（Ga2O3）等下一代材料，同时优化SiC晶体生长技术缩短周期[18] - 标准制定：联合上下游制定衬底尺寸、缺陷率等规范，建立类似"米其林指南"的认证体系[19] - 政策引导：通过关税控制低价进口、严惩倾销、退补等措施促进行业有序竞争[26] 行业终局展望 - 技术为王：意法半导体（ST）以27.5%份额（11亿美元产值）示范技术壁垒价值，国内需提升衬底质量与集成能力[22] - 运营造血：优化供应链降本，通过品牌与差异化产品提升议价能力，摆脱烧钱模式[23] - 淘汰投机：历史将淘汰低价倾销企业，具备技术硬实力与运营软实力的"长跑者"将主导103亿美元市场[24][35] 关键数据 - 头部厂商动态：英飞凌（Infineon）2024年营收增长25.1%至7.34亿美元，博世（Bosch）增长58.9%至1.91亿美元，而ST、安森美（onsemi）分别下滑3.5%、3%[31] - 新兴力量：中国厂商三安集成（Sanan IC）增长55%至1.23亿美元，UNT暴涨188%至1.4亿美元[31]