Workflow
GaN,内卷加剧
半导体芯闻·2025-07-11 18:29

氮化镓(GaN)市场动态 - 台积电宣布两年内全面退出GaN代工业务,原因是来自中国大陆厂商的竞争侵蚀利润率,停止200毫米晶圆研发[1] - 力积电接替台积电承接Navitas的GaN订单,计划2026年上半年生产100V系列产品[2] - 英飞凌推进12英寸GaN产线,首批客户样品计划2025年第四季度发布,300毫米晶圆芯片产量比200毫米增加2.3倍[4] - 瑞萨电子暂停碳化硅项目,转向GaN,推出三款650V GaN FET,芯片尺寸缩小14%,导通电阻降低14%[5][6] - ST与英诺赛科深化合作,ST延长禁售期至2026年6月29日,双方签署联合开发和制造协议[8][9][11][12] 中国厂商崛起 - 英诺赛科2024年营收8.285亿元人民币,同比增长39.8%,海外收入1.26亿元,占总收入15.3%[14] - 英诺赛科当前晶圆产能1.3万片/月,计划提升至2万片/月[14] - GaN被列入中国"第三代半导体"重点扶持方向,获得政府基金支持[14] 市场前景与挑战 - GaN功率半导体市场2024-2028年复合年增长率预计达98.5%,2028年市场规模将超68亿美元[15] - 消费电子领域GaN市场规模2028年预计达29亿美元,复合年增长率71.1%[15] - 电动汽车领域GaN市场规模2028年预计达34亿美元,复合年增长率216.4%[15] - GaN面临从快充向电动汽车主驱系统等高压核心场景突破的挑战,需解决热管理、封装、电流能力等问题[16][17] - 马自达与ROHM合作开发GaN汽车零部件,计划2027财年实现实际应用[17]