编辑丨王多鱼 排版丨水成文 二维 （2D） 硒化铟 （InSe） 凭借其低有效质量、高热速度与卓越的电子迁移率，是一种有望超越硅电子器件的半导体材料，但其生长薄膜的性能尚未达到机械 剥离法制备的微米级薄片的水平，大大制约了其规模化应用。 2025 年 7 月 17 日，北京大学 刘开辉 教授、 中国人民大学 刘灿 副教授、北京大学 邱晨光 研究员、 姜建峰 博士作为共同通讯作者 （ 秦彪 、 姜建峰 为共同 第一作者 ） 在国际顶尖学术期刊 Science 上发表了题为： Two-dimensional indium selenide wafers for integrated electronies 的研究论文。 | | | --- | | FENG DING D, CHENGUANG QIU D, CAN LIU @, AND KAIHUI LIU @ ( fewer ) Authors Info & Affiliations | | SCIENCE · 17 Jul 2025 · Vol 389, Issue 6757 · pp. 299-302 · DOl: 10.1126/science.adu38 ...