光刻机行业格局演变 - ASML凭借EUV技术垄断高端光刻机市场，尤其在EUV领域形成一家独大格局[1] - 上世纪八九十年代佳能和尼康曾占据全球光刻机市场大半份额，ASML当时处于技术追赶阶段[2] - 技术路线选择偏差导致佳能尼康在157nm浸没式和EUV技术跨越中落后，ASML通过整合全球资源实现超越[3] 佳能的纳米压印技术突破 - 佳能押注纳米压印技术(NIL)，2023年推出FPA-1200NZ2C设备实现14nm线宽，有望推进至10nm[5] - 通过收购Molecular Imprints和与铠侠合作加速技术研发，2024年向美国TIE研究所交付设备[8][9][10] - 相比EUV光刻机，纳米压印设备价格低一个数量级，能耗仅为EUV的10%，设备投资成本降低至40%[14] - 该技术已应用于5nm芯片制造，打破EUV垄断，并在3D NAND闪存领域展现竞争力[12][15] 尼康的技术转型策略 - 计划2028年推出兼容ASML生态的新型ArFi光刻机，采用创新镜头和工件台设计[23] - 2024年推出NSR-S636E浸润式ArF光刻机，生产效率提升10-15%，价格比竞品便宜20-30%[24][25] - 2025年推出首款面向先进封装的无掩模光刻系统DSP-100，支持600mm×600mm基板，每小时处理50片[27][28] 新兴光刻技术探索 - 美国Inversion Semiconductor开发激光尾场加速技术，目标波长6.7nm，设备成本为EUV的1/3[34] - 欧洲Lace Lithography的原子光刻技术分辨率达2nm，成本降低50%以上，能耗仅为EUV的1/10[35] - 德国默克与三星合作开发嵌段共聚物自组装技术(DSA)，可减少30%EUV曝光次数，单晶圆成本降低20%[36] 行业竞争态势 - 佳能通过纳米压印技术开辟新路径，聚焦3D NAND等细分市场[12] - 尼康在浸没式ArF和先进封装领域寻求突破，逐步构建技术竞争力[26][32] - 多家企业探索替代EUV方案，未来光刻领域可能从垄断走向多技术并存[36][39]